抑制性突觸后電位形成是突觸后膜對(duì)下列哪些離子通透性增加
編輯時(shí)間： 2019-10-14 13:48:04 來(lái)源：速來(lái)學(xué)整理sulaixue.com
抑制性突觸后電位形成是突觸后膜對(duì)下列哪些離子通透性增加
抑制性突觸后電位形成是突觸后膜對(duì)下列哪些離子通透性增加
A.Na+，K+，尤其是K+
B.Ca2+，Cl-，尤其是Ca2+
C.Na+，Cl-，尤其是Na+
D.K+，Cl-，尤其是Cl-
E.K+，Ca2+，Na+，尤其是Ca2+
答案：D
解析：抑制性突融后電位的形成是因?yàn)橥挥|后膜對(duì)Cl-（為主）和K+的通透性升高，引起Cl-的內(nèi)流和K+的外流，使膜內(nèi)負(fù)電位更負(fù)，引進(jìn)突觸后神經(jīng)元產(chǎn)生抑制。
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